在前面讲到外观时，有一个细节我们其实故意略过了，那就是红魔11S Pro+机背部分的SoC型号铭牌。

是的，此次红魔11S Pro系列都标配第五代骁龙8至尊“领先版”平台。与普通的第五代骁龙8至尊相比，“领先版”本质上就是选取晶圆里体质最好的区域切割出的芯片，对其进行压力测试后“特挑”出的高频版本。

可以看到，第五代骁龙8至尊领先版的两颗CPU超大核，主频从原本的4.6GHz提升至4.74GHz，同时GPU峰值主频也从普通版的1200MHz增加到了1300MHz。

但需要注意的是，这其实不是关键，因为芯片的体质更好、能跑到更高极限主频的同时，也就大概率意味着这些“领先版”芯片在中低频率段的功耗和发热，要比普通版本来得更低。

这就意味着在相同的低负载水平下，红魔11S Pro+反而可能比其他“游戏手机”还更省电；或是在高负载场景，它可以用相同的功耗，稳定运行在更高的频率点位上。而这，才是“领先版”更大的意义。

当然，我们知道大家想看什么。那么不废话，直接上跑分成绩。

首先，我们测了红魔11S Pro+的闪存速度。从结果来看，我们手头这台16GB+512GB的红魔11S Pro+用的UFS4.x闪存似乎有着极高的品质。其大概率为TLC类型里的高端型号，因此能看出有非常好的随机性能，而且随机读、写速度差异不大。

GeekBench 6.7.1 常温（左）、低温（右）成绩

接下来是GeekBench的CPU跑分。在发布前，红魔11S Pro+曾被曝出成为首款CPU单核成绩超过4000分的安卓机型。在我们的测试中，在加上足够强力的散热、并打开“破坏神模式”后，这个成绩确实可以复现。

3DMARK 常温成绩

3DMARK 低温成绩

与此同时，“领先版”更高的GPU峰值频率在3DMARK里，常温下与普通版差距不大。但到了低温环境后，跑分成绩就可以比普通版本高出6%左右，也符合其极限频率的差异程度。

到了安兔兔评测V11中，我们手头这台16GB+512GB的红魔11S Pro+则完全释放出了它恐怖的“潜力”，常温435万9000分，低温环境更是无限接近于464万分。

将这个成绩放到我们三易生活的温差跑分榜单就会发现，常温下红魔11S Pro+的成绩位列目前第二，但在低温环境完全释放性能潜力后，它就以压倒性的优势拿下了第一名。

与此同时，比前代更小的常温与低温跑分差异表明，红魔11S Pro+显然在常温环境下性能释放更激进。这也符合我们此前的推论，既“领先版”在频率并未完全跑满的前提下，功耗和发热是有可能比普通版还更低的。