虽然英特尔至今仍保有在制程命名上的“矜持”，但从产品信息来看，至少在目前在售的酷睿Ultra 100系、200系消费级处理器产品线上，他们大量使用了来自第三方的制程工艺。这确实也在客观上表明，英特尔此前在顶级先进制程方面，依然存在性能或产能等方面的信心不足。

好在，英特尔并没有就此放弃。就在此次TechTour期间，我们就近距离接触到了英特尔即将推向市场的18A工艺，以及首批基于这一工艺打造的全新处理器产品线。

其实关于“18A”这个命名，我们甚至向英特尔方面提出过疑问。因为尽管专业人士可能知道，“18A”里的“A”指的是“埃斯特朗（Ångström）”，即1A=0.1nm。但它一方面不是个国际制单位，知道的人本来就少。所以对于完全不接触晶体学或光谱学的大多数人而言，这个命名很可能反而会产生“它比3nm、2nm的数字要大、因此是老旧制程”的错误认知。

而且从另一方面来说，“A”（注意不叫“埃米”，那是讹称）这个后缀的出现，也相当于打破了英特尔此前“Intel 7”、“Intel 4”等制程不加长度单位后缀的“自我规制”。

 “18A”里的“A”本身就是个长度单位，所以不可写成“Am”或者“埃米”

那么英特尔为什么会突然如此高调起来呢？原因其实很简单，因为18A制程真的很特别，也绝对足够强。

我们先来看18A制程两大最核心的技术亮点，也就是RibbonFET晶体管结构以及PowerVia背面供电设计。

首先是RibbonFET，这其实就是英特尔版本的GAA（全环绕栅极）。众所周知，英特尔是最早在量产产品中引入FinFET（鳍式场效应管）结构的厂商之一。但对于越来越精密、尺寸越来越小的半导体微结构来说，FinFET对于导电通道的控制能力已经“不够看”了，GAA注定是整个先进半导体行业的未来，因为它可以显著提升晶体管内部的电流控制能力，减少漏电、降低功耗。

与此同时，PowerVia则更可以说是英特尔的“独门绝技”。这一技术的核心亮点，在于它将传统晶体管上“混合布局”的供电和信号电路分离开来，将供电电路改到了晶体管的背部。

这一供电设计就带来了许多的好处。从制造层面来说，它让18A工艺的制造工序相比于此前的Intel 3反而大幅简化，降低了金属层制造成本。从芯片本身的性能表现来看，PowerVia可以将标准单元利用率提高约10%，同时将芯片内部的电压降减少30%，大幅提高了芯片的稳定性和能源利用率。

从整体结果来说，相比Intel 3工艺，在采用了RibbonFET和PowerVia两大核心技术后，Intel 18A的每瓦性能可以提高15%，芯片密度增加了30%，同时在达到相同等级性能前提下，采用18A工艺芯片的总功耗更是可以下降超过25%，能效改进效果非常显著。